三星正寻求扩大其NAND闪存芯片的生产能力。该公司正在其位于韩国京畿道平泽工厂的2号线建设新的生产设施。

新工厂的建设于上个月开始。这家韩国巨头希望在2021年下半年开始运营。

它将为明年的三星“尖端V-NAND存储器”的大规模生产铺平道路。新工厂将专门用于制造公司最先进的V-NAND存储芯片。

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三星的平泽工厂成立于2015年。它是下一代存储技术的枢纽，由世界上最大的两条生产线组成。公司现在正在进一步扩大该工厂的生产能力。

三星还在韩国京畿道华城市和陕西省省会西安市设有NAND闪存生产设施。该公司还在西安工厂建设一条新的生产线。新生产线将于明年上半年投入运营。

三星扩大存储芯片产能

大流行促使更多人在家工作。结果，全球对计算机和服务器的需求不断增长。为了满足不断增长的需求，三星正寻求扩大其NAND闪存芯片的生产。

该公司还预计，由于AI，5G和IoT等多种下一代技术的采用，未来对存储芯片的需求将继续增长。

该公司表示：“增加的容量将在帮助满足NAND闪存的中长期需求方面发挥重要作用。”

在过去的18年中，三星一直是NAND闪存领域的全球领导者。去年7月，该公司推出了业界第一款第六代(1xx层)V-NAND SSD(固态驱动器)。该公司还宣布，今年初将开发业界首个160层或更高级别的NAND闪存芯片。该解决方案允许存储芯片具有更高的存储容量。

这家韩国巨头继续在制造和技术领域积累专业知识。现在，它正在对该领域进行大量投资，以进一步巩固其市场领导地位。

三星没有透露将投资建设新工厂的金额。然而，分析人士说，投资范围将在7万亿韩元(约合57亿美元)至8万亿韩元(约合65亿美元)之间。

“这项新投资重申了我们致力于在内存技术领域保持领先地位的承诺，即使在不确定的时期也是如此。我们将继续为市场提供最优化的解决方案，同时为整个IT行业和整个经济的增长做出贡献。”三星内存全球销售与营销执行副总裁Cheol Choi说。